FDD3672
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDD3672 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.561 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | UltraFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 44A, 10V |
Verlustleistung (max) | 135W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.5A (Ta), 44A (Tc) |
FDD3672 Einzelheiten PDF [English] | FDD3672 PDF - EN.pdf |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
MOSFET N-CH 100V 25A TO252
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 100V 44A TO252AA
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
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FDD3672_F085 Fairchild/ON Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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